半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993125033
Publication number (International publication number)：1994314825
Application date： Apr. 28, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】長寿命な半導体発光素子の提供。【構成】LED10 はサファイア基板1を有し、バッファ層2、膜厚2.2 μmのGaN n+ 層3、膜厚1.5 μmのGaN n層4、膜厚0.1 μmのGaN p層(またはi層)5が形成され、Al電極7,8 とが形成されている。p層5の表面にはSiO2からなる絶縁層9が形成され、絶縁層9の電極間の表面は細かく浅い溝が一本以上形成されている。絶縁膜9は誘電体でもあり、電極間の電界は誘電体中が弱くなり、絶縁膜9の表面の電界は弱くなるためエレクトロマイグレーションは弱められ、結果として半導体発光素子の平均寿命を増大させる。

Claim (excerpt)：

同一面側に正負一対の素子電極が形成され、前記素子電極の形成された面が、金属メッキを施したリードフレームに半田付けされた半導体発光素子において、前記素子電極側の面で前記素子電極以外の全表面に絶縁膜を有することを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開平3-016278
特開昭58-070585
特開平1-293672

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Cited by examiner (11)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-185340 Applicant：豊田合成株式会社
特開平3-016278
特開昭63-015483

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