Pat

J-GLOBAL ID：200903062128567551

過度の脆弱化ステップを有した薄層の移送方法

Inventor： クリステル・ラガエ ,  アラン・スビエ ,  ミシェル・ブリュエル ,  ベルナール・アスパール
Applicant, Patent owner： コミツサリア タ レネルジー アトミーク
Agent (1)： 志賀 正武 (外7名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001516228
Publication number (International publication number)：2003506892
Application date： Aug. 03, 2000
Publication date： Feb. 18, 2003
Summary：

【要約】本発明は、ターゲット支持体(30)上へと、ソース基体(10)のうちの薄層(18)を移送するための方法に関するものであって、a)ソース基体に対してイオン種またはガス種を打ち込むことにより、ソース基体内に、薄層(18)を規定する分離ゾーン(16)を形成し;b)ソース基体をターゲット支持体上へと配置して、ソース基体とターゲット支持体とを相互連結し;c)分離ゾーンに沿ってソース基体(10)から薄層(18)を分離する;という方法に関するものである。本発明は、上記ステップb)を行う前に、ソース基体を熱処理することによっておよび/またはソース基体に機械力を印加することによって、分離ゾーン(16)を過度に脆弱化させることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

ターゲット支持体(30)上へと、ソース基体(10)のうちの薄層(18)を移送するための方法であって、 a)前記ソース基体に対してイオン種またはガス種を打ち込むことにより、前記ソース基体内に、前記薄層(18)を規定する分離ゾーン(16)を形成し; b)前記ソース基体を前記ターゲット支持体上へと配置して、前記ソース基体と前記ターゲット支持体とを相互連結し; c)前記分離ゾーンに沿って前記ソース基体(10)から前記薄層(18)を分離する;という方法において、前記ステップb)を行う前に、 -前記分離ゾーンと前記ソース基体の表面との間に、自立支持可能な下限厚さ以上の厚さを有した厚膜化材料フィルムを形成し、 -前記ソース基体を熱処理することによっておよび/または前記ソース基体に機械力を印加することによって、前記分離ゾーン(16)を過度に脆弱化させることを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/265

FI (3)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/265 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体材料薄層の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-126005   Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク