改良されたTFT、該TFT及び該TFTを含むマトリクスディスプレイの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村暁秀 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997507845
Publication number (International publication number)：1999510272
Application date： Jul. 30, 1996
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】アクティブマトリクスディスプレイ(10)のような薄膜トランジスタを含むデバイスにおいて欠陥を減少する改良形の薄膜トランジスタを提供する。第1の改良点は、アクティブマトリクスディスプレイ内のゲートライン及び行ラインとすることができる底部金属層(52)上に2重絶縁層(60,62)を形成することにより達成される。第1の絶縁層(60)は前記金属層を陽極酸化することにより形成し、第2の絶縁層(62)は第1の絶縁層上に堆積する。2重絶縁層構造を再陽極酸化してこれらの層のピンホールの影響を除去することができる。第2の改良点は、インターディジタルトランジスタ構造を与えてチャネル幅を増大させるとともに、内部短絡とドレインキャパシタンスを最小にすることにある。インターディジタル構造(94,96;100,102)は少なくとも2つのドレイン又はソースフィンガ部間に形成された少なくとも1つのソース又はドレインフィンガ部を含む。短絡ソースフィンガ部を切り離してトランジスタを動作可能に維持することができる。他の改良点は、アクティブマトリクスディスプレイにおいて蓄積キャパシタを2重絶縁層を用いて形成することにより与えられる。冗長列ライン(74,90)を第2のオーバレイ金属層(90)を用いて形成する。欠陥マスキング用のトランジスタ(49)を各画素と前行又はゲートラインとの間に結合することもできる。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタの製造において、インターディジタル構造のソース及びドレインを形成し、前記ソースに開口を形成し、前記開口に隣接して前記ソースから前記ドレインの方へ延在する少なくとも2つのフィンガ部を形成し、前記ドレインから前記2つのソースフィンガ部間に、これらのフィンガ部から離間して延在する少なくとも一つのフィンガ部を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/786

FI (3)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/78 612 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭62-065017
特開昭64-024300
特開昭61-261774

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