半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：酒井昭徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001081243
Publication number (International publication number)：2002280549
Application date： Mar. 21, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】従来の耐圧80V用の横型トレンチパワーMOSFETよりも簡素なプロセス工程で製造可能であり、かつ従来の80Vよりも低い耐圧用の横型パワーMOSFETよりもデバイスピッチが小さくて単位面積当たりのオン抵抗が小さいこと。【解決手段】 p-基板50にドリフト領域となるn-拡散領域60を形成した後に、基板50およびn-拡散領域60の一部を選択的に除去してトレンチ51を形成する。トレンチ51の内側にたとえば厚さが0.05μmの均一な厚さのゲート酸化膜59を形成し、さらにその内側にゲートポリシリコン52を形成する。トレンチ51の底部にp-ベース領域62とソース領域となるn+拡散領域61を形成し、n-拡散領域60にドレイン領域となるn+拡散領域58を形成する。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板に設けられたトレンチと、前記トレンチの側部に沿って前記トレンチの内側に形成された均一な厚さのゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の内側に形成された第1の導電体と、前記第1の導電体に電気的に接続するゲート電極と、前記第1の導電体の内側に層間絶縁膜を介して形成された第2の導電体と、前記トレンチの底部に形成された第1導電型のベース領域と、前記ベース領域内に形成され、かつ前記第2の導電体と電気的に接続する第2導電型のソース領域と、前記ソース領域に電気的に接続するソース電極と、前記トレンチの外側に形成された第2導電型のドリフト領域および第2導電型のドレイン領域と、前記ドレイン領域に電気的に接続するドレイン電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 301 W , H01L 29/78 301 D

F-Term (33)：

5F140AA30 , 5F140AA39 , 5F140AA40 , 5F140AB04 , 5F140AC21 , 5F140BA01 , 5F140BB04 , 5F140BE02 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF43 , 5F140BF44 , 5F140BG27 , 5F140BG37 , 5F140BH07 , 5F140BH08 , 5F140BH17 , 5F140BH30 , 5F140BH33 , 5F140BH47 , 5F140BJ04 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ28 , 5F140BJ29 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140BK26 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CC15 , 5F140CE06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-154379
特開平2-039473
半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-260439 Applicant：株式会社日立製作所

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