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J-GLOBAL ID：200903062279288280

CMOSイメージセンサ及びその製造方法

Inventor：
舟木 正紀

About 舟木 正紀


Applicant, Patent owner：
日本ビクター株式会社

About 日本ビクター株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999341819
Publication number (International publication number)：2001160619
Application date： Dec. 01, 1999
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 画素を構成するアンプ用トランジスタの基板バイアス効果によるしきい値の変動を抑え、雑音の少ないCMOSイメージセンサを提供する。【解決手段】 フォトダイオードとこのフォトダイオードにおいて光電変換により生成された電荷を増幅するアンプ用MOSFETとを有する画素を複数個ライン状またはアレイ状に配列したCMOSイメージセンサにおいて、前記アンプ用MOSFETのウェルを前記画素に含まれる他の素子のウェルと電気的に分離し、かつ、前記アンプ用MOSFETのソースと前記アンプ用のMOSFETの前記ウェルとを同電位とした。
Claim (excerpt)：
フォトダイオードとこのフォトダイオードにおいて光電変換により生成された電荷を増幅するアンプ用MOSFETとを有する画素を複数個ライン状またはアレイ状に配列したCMOSイメージセンサにおいて、前記アンプ用MOSFETのウェルを前記画素に含まれる他の素子のウェルと電気的に分離し、かつ、前記アンプ用MOSFETのソースと前記アンプ用のMOSFETの前記ウェルとを同電位としたことを特徴とするCMOSイメージセンサ。
IPC (2)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (2)：
H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A
F-Term (18)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118EA01 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118FA50 ,  5C024AA01 ,  5C024CA05 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024FA02 ,  5C024FA11 ,  5C024GA01 ,  5C024GA31
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 光電変換装置と半導体集積回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-007328   Applicant：キヤノン株式会社
  • 固体撮像装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-055028   Applicant：株式会社東芝
  • 光電変換装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-232957   Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社

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