炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：和泉良彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002122215
Publication number (International publication number)：2003243654
Application date： Apr. 24, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】単結晶炭化珪素に対する金属コンタクト形成時の急速高温加熱処理に起因するゲート絶縁膜ならびにMOS界面特性の劣化を、オーミック接触の接触抵抗の増大を招くことなく解決する。【解決手段】ゲート電極8以外の電極で、単結晶炭化珪素基板1とコンタクトされ、ゲート絶縁膜7が単結晶炭化珪素基板(エピタキシャル層2)とフィールド絶縁膜3(図17ではゲート電極204を熱酸化して形成した絶縁膜205、206およびゲート絶縁膜203の周辺部分)とゲート電極8とによって全周囲を囲まれた後に、ゲート絶縁膜7を形成した熱酸化温度よりも低い温度であって、かつ、単結晶炭化珪素と金属とのコンタクト・アニールに十分な温度(例えば900°C以上)で加熱処理を施された金属電極(裏面電極10)を備えた炭化珪素半導体装置。

Claim (excerpt)：

ゲート絶縁膜を、前記ゲート絶縁膜と反応しない電極部材と、前記ゲート絶縁膜と反応しない絶縁膜と、単結晶炭化珪素基板とで被った後に、加熱処理を行ったことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 655

FI (3)：

H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 652 L , H01L 29/78 655 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

炭化珪素半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-310865 Applicant：株式会社デンソー

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