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J-GLOBAL ID：200903074651394731

炭化珪素半導体装置の製造方法

Inventor：
天野 伸治

About 天野 伸治

, 
奥野 英一

About 奥野 英一

, 
山本 剛

About 山本 剛


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000310865
Publication number (International publication number)：2001210637
Application date： Oct. 11, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：
【要約】【課題】 炭化珪素よりなる絶縁ゲート型の電界効果トランジスタにおいて、さらなるオン抵抗低減を図る。【解決手段】 炭化珪素からなる表面チャネル層5の表面に熱酸化によりゲート酸化膜7を形成する工程を有する炭化珪素半導体装置の製造方法において、酸化膜形成工程では、酸化珪素(SiO2 )と炭素(C)との反応で示される炭化珪素(SiC)の再結晶化反応式、【化1】SiO2+3C→SiC+2CO+G3におけるGibbsの自由エネルギーG3が負になるような条件下で熱酸化を行うことを特徴としている。これにより、残留炭素を炭化珪素(SiC)と酸化炭素(COx)に変化させる。これにより、一酸化炭素が外部に放出されて、残留炭素を低減することができる。従って、界面は炭化珪素と二酸化珪素のみで形成することができる。
Claim (excerpt)：
炭化珪素からなる半導体層(5)が備えられた基板を用意して、前記半導体層の表面に酸化膜(7)を形成する酸化膜形成工程を有し、該酸化膜形成工程が、熱酸化により該酸化膜を形成する工程を有してなる炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記酸化膜形成工程における前記熱酸化工程は、酸化珪素(SiO2 )と炭素(C)との反応で示される炭化珪素(SiC)の再結晶化反応式、【化1】SiO2+3C→SiC+2CO+G3におけるGibbsの自由エネルギーG3が負になるような条件下で前記熱酸化を行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336
FI (11)：
H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 F ,  H01L 29/78 658 F
F-Term (11)：
5F040DA22 ,  5F040DC02 ,  5F058BB01 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BH04 ,  5F058BH05 ,  5F058BJ04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (6)
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