Pat

J-GLOBAL ID：200903062337432752

スピン依存伝導素子とそれを用いた電子部品および磁気部品

Inventor： 猪俣 浩一郎 ,  斉藤 好昭 ,  岸 達也
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998039343
Publication number (International publication number)：1999238924
Application date： Feb. 20, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【課題】 従来の電子伝導素子とは全く異なる電子のスピンを利用した電子伝導素子を提供する。極めて大きな磁気抵抗変化率が室温で得られ、さらに増幅機能を持たせたスピン依存伝導素子が求められている。【解決手段】 1層以上の強磁性層3と、少なくとも 1層が強磁性体からなる 2層以上の電極層1、5と、これら強磁性層3および電極層1、5間に 2重以上の多重トンネル接合を形成するように積層配置された誘電体層(トンネル層)2、4とを具備し、強磁性層3に離散的なエネルギー準位が形成されており、かつエネルギー準位を制御するための電極を有するスピン依存伝導素子である。あるいは、誘電体マトリックス中に分散させた強磁性微粒子を有するグラニュラー磁性層を介して多重トンネル接合を形成すると共に、グラニュラー磁性層に静電エネルギーに基づく離散的なエネルギー準位を形成する。

Claim (excerpt)：

1層以上の強磁性層と、少なくとも 1層が強磁性体からなる2層以上の電極層と、前記強磁性層および電極層間に 2重以上の多重トンネル接合が形成されるように、前記強磁性層および電極層と交互に積層配置された誘電体または半導体からなる 2層以上のトンネル層とを具備し、前記強磁性層に離散的なエネルギー準位が形成されており、かつ前記エネルギー準位を制御するための電極を有することを特徴とするスピン依存伝導素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-062201   Applicant：富士通株式会社