超短波を用いたプラズマCVD法及び該プラズマCVD装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：丸島儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994051776
Publication number (International publication number)：1994342764
Application date： Mar. 23, 1994
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】円筒状基体の表面上に該円筒状基体の軸方向、及び周方向のいずれの方向に関しても、膜厚が極めて均一で且つ均質膜質である高品質な堆積膜を高速度で形成し得るVHF領域の高周波を使用するプラズマCVD法を提供すること。【構成】カソ-ド電極が、円筒状基体の軸方向に関して電気的に複数に分割されており、該分割されたカソ-ド電極のそれぞれに高周波電力供給手段を介して周波数60MHz〜300MHzの範囲の超短波エネルギ-を供給して反応容器内にプラズマを生起させ堆積膜を形成することを特徴とするVHFプラズマCVD法。

Claim (excerpt)：

減圧下の反応容器内に成膜用の原料ガスを供給し、前記反応容器内に配される回転可能な円筒状基体の周囲に設けられたカソ-ド電極にVHF帯高周波電源で発生させた高周波電力を高周波電力供給手段を介して供給し、前記円筒状基体と前記カソ-ド電極との間にプラズマを発生させて前記円筒状基体表面上に堆積膜を形成するVHFプラズマCVD法であって、前記カソ-ド電極は、前記円筒状基体の軸方向に関して電気的に複数に分割されており、該分割されたカソ-ド電極のそれぞれに前記高周波電力供給手段を介して周波数60MHz〜300MHzの範囲の超短波エネルギ-を供給して前記反応容器内にプラズマを生起させ堆積膜を形成することを特徴とするVHFプラズマCVD法。

IPC (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C23C 16/50 , C23C 16/52 , H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭60-148108
プラズマを用いるダイヤモンドの合成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-212776 Applicant：科学技術庁無機材質研究所長
特開平4-100215

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