Pat

J-GLOBAL ID：200903062374487192

電子放出素子

Inventor： 金 子 彰 ,  近 藤 行 宏
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社 ,  松下電工株式会社
Agent (1)： 蔵合 正博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994059303
Publication number (International publication number)：1995272615
Application date： Mar. 29, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電界放出型電子放出素子におけるエミッション電流変動があってもその変動を容易に抑制し、常に安定なエミッション電流が得られる電子放出素子を提供すること。【構成】 基板15の上に形成されたベース電極14上にエミッタ部10と、エミッタ部10に近接してゲート電極16が形成され、そのエミッタ部10が最上部の電子放出層11と、第1および第2のエミッタ構成材12、13が交互に複数層形成された積層部分から構成され、さらに、エミッタ部10の積層部分にエミッション電流の変動に対して抑制機能を持たせた構成とした。これにより、安定したエミッション電流を容易に得ることができる。

Claim (excerpt)：

基板と、基板の上に設けられたベース電極と、ベース電極の上に設けられ電子を放出するエミッタ部と、エミッタ部と一定の間隔をおいて設けられこのエミッタ部に対向して配置されたゲート電極とから成り、前記エミッタ部が、最上部の電子放出層および、第1のエミッタ構成材とこれとは異なる第2のエミッタ構成材とが交互に複数層形成された積層部分から構成されていることを特徴とする電子放出素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 電界放出型電子源
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-235597   Applicant：シャープ株式会社
• MIS型冷陰極電子放出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-147582   Applicant：オリンパス光学工業株式会社