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J-GLOBAL ID：200903062422711121

近接場露光によるレジストパターンの形成方法、及び該レジストパターンの形成方法を用いた基板の加工方法、デバイスの作製方法

Inventor：
伊藤 俊樹

About 伊藤 俊樹

, 
山口 貴子

About 山口 貴子


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004189694
Publication number (International publication number)：2006013216
Application date： Jun. 28, 2004
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：
【課題】高アスペクトなパターンの形成が可能となる近接場露光によるレジストパターンの形成方法、及び該レジストパターンの形成方法を用いた基板の加工方法、デバイスの作製方法を提供する。【解決手段】近接場露光用マスクを基板上に形成したレジスト層に近接させ、該マスクの面側に光を照射した際に該マスクの微小開口から滲み出る近接場光を用いて露光し、前記レジスト層にマスクパターンを転写する近接場露光によるレジストパターンの形成方法において、前記基板上に、近接場光のしみ出し深さ以上の厚さのネガ型レジスト層を形成する工程と、前記ネガ型レジスト層を、前記近接場光を用いて露光する露光工程と、前記露光されたネガ型レジスト層を現像液で現像し、該ネガ型レジスト層の厚さよりも浅い領域にパターンを形成する現像工程と、を少なくとも有する構成とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
露光光の波長サイズ以下の微小開口を備えた遮光膜を有する露光用マスクを、基板上に配されたレジスト層に近接させ、前記露光用マスクを介して露光光を前記レジスト層に向けて照射することで、前記微小開口から近接場光をしみ出させ、前記近接場光を用いて前記レジスト層を露光し、前記レジスト層にマスクパターンを転写するレジストパターンの形成方法において、 前記基板上に、近接場光のしみ出し深さ以上の厚さのネガ型レジスト層を形成する工程と、 前記ネガ型レジスト層を、前記近接場光を用いて露光する露光工程と、 前記露光されたネガ型レジスト層を現像液で現像し、該ネガ型レジスト層の厚さよりも浅い領域にパターンを形成する現像工程と、 を少なくとも有することを特徴とする近接場露光によるレジストパターンの形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/306
FI (4)：
H01L21/30 502D ,  G03F7/20 501 ,  G03F7/30 ,  H01L21/302 105A
F-Term (28)：
2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096GA02 ,  2H096HA17 ,  2H096HA23 ,  2H096HA27 ,  2H096JA04 ,  2H096LA01 ,  2H097BB01 ,  2H097CA11 ,  2H097LA10 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB24 ,  5F004DB26 ,  5F004EA03 ,  5F004EA04 ,  5F004EA06 ,  5F004EA10 ,  5F004EA26 ,  5F004EA27 ,  5F046AA25 ,  5F046AA28 ,  5F046BA10 ,  5F046CB17 ,  5F046DA02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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