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J-GLOBAL ID:200903062456419411

中性子発生装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小川 勝男 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001061503
Publication number (International publication number):2002257996
Application date: Mar. 06, 2001
Publication date: Sep. 11, 2002
Summary:
【要約】【課題】熱中性子のエピサーマル中性子に対する割合が小さく、かつエピサーマル中性子の絶対量が大きくなるように中性子を発生すること。【解決手段】減速材領域を、減速材よりも小さな減速能をもつ物質からなる反射体で取り囲み、中性子源を、減速材内で中性子照射方向の減速材長さ中央よりも、中性子照射向きと逆側寄りに配置する。エピサーマル中性子を利用した中性子非破壊検査装置において、検査時の熱中性子によるノイズを低減して検査の信頼性を高め、また検査時間を短くできる。
Claim (excerpt):
中性子源と、前記中性子源を取り囲むように配置された減速材と、前記減速材を取り囲むとともに中性子照射方向の位置に開口部を持つ反射体とを備え、前記反射体は、前記減速材よりも減速能が小さい物質で構成され、前記中性子源は、前記減速材の中性子照射方向の長さの中央よりも中性子照射方向と反対側寄りに配置されていることを特徴とする中性子発生装置。
IPC (3):
G21K 5/02 ,  G21C 17/06 ,  G21G 4/02
FI (3):
G21K 5/02 N ,  G21G 4/02 ,  G21C 17/06 M
F-Term (8):
2G075CA38 ,  2G075CA39 ,  2G075DA07 ,  2G075FA06 ,  2G075FA18 ,  2G075FC14 ,  2G075GA15 ,  2G075GA21
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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