レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998299177
Publication number (International publication number)：1999190904
Application date： Oct. 06, 1998
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】【解決手段】 (A):有機溶剤、(B):1種又は2種以上の酸不安定基を有する高分子化合物が更に分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基により架橋されている重量平均分子量が1,000〜500,000である2種以上の高分子化合物、(C):酸発生剤を含有してなることを特徴とするレジスト材料。【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性、再現性にも優れている。また、パターンがオーバーハング状になりにくく、寸法制御性に優れている。更に、アセチレンアルコール誘導体の配合により保存安定性が向上する。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にKrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

Claim (excerpt)：

(A):有機溶剤、(B):1種又は2種以上の酸不安定基を有する高分子化合物が更に分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基により架橋されている重量平均分子量が1,000〜500,000である2種以上の高分子化合物、(C):酸発生剤を含有してなることを特徴とするレジスト材料。

IPC (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

架橋されたポリマー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-098487 Applicant：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-305113 Applicant：東京応化工業株式会社
ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217593 Applicant：富士写真フイルム株式会社

Show all

Cited by examiner (4)

架橋されたポリマー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-098487 Applicant：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-305113 Applicant：東京応化工業株式会社
ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217593 Applicant：富士写真フイルム株式会社

Show all

Return to Previous Page