ポジ型レジスト組成物

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部平八
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995305113
Publication number (International publication number)：1997127698
Application date： Oct. 30, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、高感度であり、クオーターミクロン以下の高解像性を有し、かつ耐熱性、焦点深度幅特性、引置き経時安定性に優れ、基板依存性がなくプロファイル形状の優れたレジストパターンを形成できるレジスト組成物を提供すること。【構成】(A)酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)有機カルボン酸化合物を含むポジ型レジスト組成物において、(A)成分が(a)水酸基の10〜60モル%が一般式化1【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2はメチル基又はエチル基であり、R3は炭素数1〜4の低級アルキル基である。)で表わされる残基で置換された重量平均分子量8,000〜25,000、分子量分布(Mw/Mn)1.5以下のポリヒドロキシスチレンと(b)水酸基の10〜60モル%がtert-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された重量平均分子量8,000〜25,000、分子量分布(Mw/Mn)1.5以下のポリヒドロキシスチレンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)有機カルボン酸化合物を含有するポジ型レジスト組成物において、(A)成分が(a)水酸基の10〜60モル%が一般式化1【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2はメチル基又はエチル基であり、R3は炭素数1〜4の低級アルキル基である。)で表わされる残基で置換された重量平均分子量8,000〜25,000、分子量分布(Mw/Mn)1.5以下のポリヒドロキシスチレンと(b)水酸基の10〜60モル%がtert-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された重量平均分子量8,000〜25,000、分子量分布(Mw/Mn)1.5以下のポリヒドロキシスチレンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

レジスト塗布組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-197814 Applicant：日本合成ゴム株式会社
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-261875 Applicant：日本合成ゴム株式会社
パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-100310 Applicant：株式会社東芝

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