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J-GLOBAL ID：200903062503614643

半導体装置の製造方法

Inventor：
松本 明

About 松本 明


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999019015
Publication number (International publication number)：2000223490
Application date： Jan. 27, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】有機系の低誘電率膜を層間絶縁膜とした場合の溝配線の形成において、CMP技術の適用を容易とする。【解決手段】溝配線の形成において、有機系の低誘電率絶縁膜3で構成される層間絶縁膜の所定の領域に、積層する無機絶縁膜で構成され開口8を有するマスク層4,5を形成する。そして、このマスク層をエッチングマスクとしたドライエッチングで有機系の低誘電率絶縁膜3に配線溝9を形成し、導電体膜のCMPでもって溝配線を形成する。ここで、マスク層は、有機系の低誘電率絶縁膜3をCMPの研磨から保護する。また、このマスク層のうち下層にある無機絶縁膜が上記有機低誘電率絶縁膜をプラズマ・アッシング等のレジストマスク除去の工程から保護する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に有機系の絶縁膜を形成する工程と、前記有機系の絶縁膜上に2種以上の積層した無機絶縁膜で構成されるマスク層を形成し前記マスク層に開口を形成する工程と、前記マスク層をエッチングマスクにしたドライエッチングで前記有機系の絶縁膜に配線溝を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/3213
FI (6)：
H01L 21/88 K ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/88 D
F-Term (55)：
4M104AA01 ,  4M104BB30 ,  4M104DD07 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD20 ,  4M104DD61 ,  4M104DD71 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  5F004AA11 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB26 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA10 ,  5F004EA23 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR21 ,  5F033RR26 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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