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J-GLOBAL ID：200903062545555590
有機薄膜光電変換素子及びその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小林 良平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006242008
Publication number (International publication number)：2007273939
Application date： Sep. 06, 2006
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：
【課題】大気下で有機薄膜光電変換素子を作製し、その光電変換素子の光電変換効率を上げ、また、耐久性を向上させる。【解決手段】光電変換層と電極の間に、湿式法により作製されたTiO2ホールブロック層を設ける。TiO2ホールブロック層作製の際、大気中で乾燥させることにより、TiO2ホールブロック層をアモルファス化する。また、PCBM:P3HT層とTiO2ホールブロック層の間に、TiO2ホールブロック層の近くにおいてPCBMの濃度を高めたPCBM/P3HTの傾斜濃度層を設けるようにしてもよい。これにより、その部分の電気抵抗が減少し、光電変換素子としての電流損が最小限に抑えられる。また、TiO2ホールブロック層の近くにおいて導電性材料であるPCBMの濃度が高いため、電子がTiO2層に流入しやすくなる。これらにより、本実施例の傾斜構造有機薄膜光電変換素子は高い光電変換効率を有し、また、高い耐久性を有する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
大気下において、電極を有する基板上にバッファー層及び光電変換層を形成した後、湿式法によりTiO2ホールブロック層を設け、その上に対向電極を設けることを特徴とする有機薄膜光電変換素子の製造方法。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (7)：
5F051AA11
, 5F051BA11
, 5F051CB13
, 5F051FA01
, 5F051FA04
, 5F051GA03
, 5F051KA09
Cited by applicant (1)
-
有機太陽電池
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-110653
Applicant：金沢大学長, 株式会社日本触媒
Cited by examiner (1)
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-036815
Applicant：富士ゼロックス株式会社
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