半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000036815
Publication number (International publication number)：2001156321
Application date： Feb. 15, 2000
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】低コスト、製造上の簡便さ、機能性に優れた半導体装置とその製造方法の提供。【解決手段】(1)多孔質半導体層と、無機半導体層とが順に積層された半導体装置、(2)多孔質半導体層と、無機半導体層と間に有機物層を有する半導体装置、(3)2つの無機半導体層の間に有機単分子層を有する半導体装置である。この半導体装置は、無機半導体の構成元素、あるいはその構成元素を含む化合物を含有する溶液に多孔質半導体層あるいは表面に有機物層を有する半導体層を浸漬し、この溶液中で多孔質半導体層、あるいは有機物層上に無機半導体層を形成することによって製造される。

Claim (excerpt)：

多孔質半導体層と、無機質半導体とが順に積層されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 31/04 , H01L 21/368

FI (4)：

H01L 21/368 Z , H01L 31/04 E , H01L 31/04 Z , H01L 31/04 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

化合物半導体層を有する半導体基板とその作製方法及び該半導体基板に作製された電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-065306 Applicant：キヤノン株式会社
太陽電池およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-249184 Applicant：株式会社日立製作所
半導体基材の製造方法、および太陽電池の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-350132 Applicant：キヤノン株式会社

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