イメージセンサ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000268824
Publication number (International publication number)：2002077737
Application date： Sep. 05, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】従来のイメージセンサのダイナミックレンジ拡大方法の一つに、露光時間の異なる行の信号電荷を画素領域の上下に設けた水平転送レジスタに別々に読み出し、オフチップでそれらを合成する方法があるが、水平のスキャン回路が上下に必要になるため回路規模、システム規模が大きくなるという欠点があった。【解決手段】露光時間の異なる2回の露光を行って、ピクセル内に設けたピクセル内容量4に1回目の露光期間でフォトダイオード1に発生した信号電荷を保持し、2回目の露光期間でフォトダイオード1に発生した信号電荷を1回目の信号電荷とピクセル内で混合して読み出すことにより、第一露光期間に白飛びした部分は第二露光期間の情報で、また、第二露光期間に黒潰れした部分は第一露光期間の情報でそれぞれ補われるため、白飛び・黒潰れの緩和された光量に対するダイナミックレンジの広い画像が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体領域と、前記半導体領域内に形成された前記半導体領域と逆の導電型の拡散層とを有する半導体装置を含み、前記半導体装置の前記拡散層内のキャリアを排出した後、前記拡散層内に光を入射させて前記拡散層内にキャリアを発生させ、発生したキャリアの表面電位に基づく信号を出力部に出力して前記光の入射量を測定するイメージセンサであって、前記拡散層内に光を入射させて前記拡散層内にキャリアを発生させる工程が、前記光を第1の露光期間に渡って前記拡散層内に入射させて前記拡散層内に第1のキャリアを発生させ、前記第1の露光期間後の蓄積期間に前記第1のキャリアを蓄積部に移し、前記蓄積期間の後、前記光を第2の露光期間に渡って前記拡散層内に入射させて前記拡散層内に第2のキャリアを発生させることにより行われ、前記発生したキャリアの表面電位に基づく信号を出力部に出力して前記光の入射量を測定する工程が、前記第2の露光期間の後の読出し期間に、前記第1のキャリアと前記第2のキャリアとを合わせる動作を含むことを特徴とするイメージセンサ。

IPC (4)：

H04N 5/335 , H01L 27/146 , H01L 31/10 , H04N 1/028

FI (5)：

H04N 5/335 Q , H04N 5/335 E , H04N 1/028 A , H01L 27/14 A , H01L 31/10 G

F-Term (37)：

4M118AA02 , 4M118AB01 , 4M118BA12 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118DB01 , 4M118DD11 , 4M118DD12 , 4M118FA06 , 4M118FA14 , 5C024AX01 , 5C024CX47 , 5C024GX03 , 5C024GY03 , 5C024GY32 , 5C024GY35 , 5C024GY38 , 5C024GZ08 , 5C024GZ28 , 5C024HX28 , 5C024HX41 , 5C051AA01 , 5C051BA02 , 5C051DA06 , 5C051DB01 , 5C051DB13 , 5C051DB18 , 5C051DC03 , 5C051DC07 , 5C051DE02 , 5F049NA03 , 5F049NA18 , 5F049NA20 , 5F049NB03 , 5F049UA04 , 5F049UA11 , 5F049UA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

CMOSを基礎とするピクセル構造の高ダイナミックレンジの読み出し信号を得る方法及びそのCMOSを基礎とするピクセル構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-027264 Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ

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