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J-GLOBAL ID：200903062562349813
カーボンナノウォールの製造方法と製造装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004343214
Publication number (International publication number)：2005097113
Application date： Nov. 26, 2004
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：
【課題】 カーボンナノウォールを製造する新規な方法およびその方法の実施に適した装置を提供する。【解決手段】 少なくとも炭素を構成元素とする原料ガス32を反応室10に導入する。その反応室10には、第一電極22および第二電極24を含む平行平板型容量結合プラズマ(CCP)発生機構20が設けられている。これによりRF波等の電磁波を照射して、原料ガス32がプラズマ化したプラズマ雰囲気34を形成する。一方、反応室10の外部に設けられたラジカル発生室41において、少なくとも水素を含むラジカル源ガス36をRF波等により分解して水素ラジカル38を生成する。その水素ラジカル38をプラズマ雰囲気34中に注入して、第二電極24上に配置した基板5の表面にカーボンナノウォールを形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
少なくとも炭素を構成元素とする原料物質がプラズマ化したプラズマ雰囲気を反応室の少なくとも一部に形成するとともに、そのプラズマ雰囲気中に該雰囲気の外部で生成したラジカルを注入して、該反応室中に配置した基材の表面にカーボンナノウォールを形成するカーボンナノウォールの製造方法。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (19)：
4G146AA07
, 4G146AB10
, 4G146AD23
, 4G146AD29
, 4G146BA12
, 4G146BA17
, 4G146BA48
, 4G146BC09
, 4G146BC16
, 4G146BC27
, 4G146BC32B
, 4G146BC33B
, 4G146BC43
, 4G146BC44
, 4G146DA03
, 4G146DA16
, 4G146DA23
, 4G146DA28
, 4G146DA40
