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J-GLOBAL ID：200903062585463885

磁気抵抗効果型磁気ヘツド

Inventor： 寺脇 則行
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991247564
Publication number (International publication number)：1993089434
Application date： Sep. 26, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 磁気記録再生装置に使用する再生用の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、電気ドリフトや熱雑音の発生を抑え、かつ周波数特性を向上させた磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。【構成】 第1のフェライトブロック1と磁気抵抗効果素子12との距離g1と、第2のフェライトブロック2と磁気抵抗効果素子12との距離g2とを異なる構成としたことにより、従来のバイアス導体が不要となってこのバイアス導体から発生していた電気ドリフトや熱雑音がなくなり、また、バイアス導体の厚み分だけ電磁変換ギャップ長GLが短かくなって周波数特性が向上する。

Claim (excerpt)：

第1のフェライトブロックと第2のフェライトブロックとこれらのフェライトブロックの間に絶縁膜を介して挟まれる磁気抵抗効果素子とからなり、前記第1のフェライトブロックと前記磁気抵抗効果素子との距離と、前記第2のフェライトブロックと前記磁気抵抗効果素子との距離とが異なる磁気抵抗効果型磁気ヘッド。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-281206
  
• 磁気抵抗効果型再生ヘツド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-156599   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭59-172109