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J-GLOBAL ID：200903062654408573
スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
東海 裕作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992328827
Publication number (International publication number)：1994157036
Application date： Nov. 13, 1992
Publication date： Jun. 03, 1994
Summary：
【要約】【目的】200〜3000Ω/□の比較的高抵抗で、均一性に優れたスズドープ酸化インジウム膜を得る成膜方法を提供する。【構成】成膜に際し、第三成分を、Inに対して0.05〜20原子%添加してなるスズドープ酸化インジウム膜の成膜方法。【効果】該方法により、高抵抗、かつ、均一性に優れたITO膜をより効率的に成膜することができる。
Claim (excerpt)：
スズドープ酸化インジウム膜の成膜に際し、第三成分を添加して成膜することを特長とするスズドープ酸化インジウム膜の成膜方法。
IPC (3)：
C01G 19/00
, C03C 17/245
, H01C 7/00
Cited by examiner (6)
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