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J-GLOBAL ID：200903062670489630
処理方法及びその装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
中本 菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993307132
Publication number (International publication number)：1995142464
Application date： Nov. 12, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】 被処理体に付着している有機物を除去し、密着性の良い積層塗膜を形成する。【構成】 半導体ウエハW(被処理体)の配線パターン110形成面をSiO2膜111で被覆した後、ウエハWに紫外光を照射して酸素をオゾン化すると共に、酸素原子ラジカルを生成し、酸素原子ラジカルによってSiO2膜111表面の有機物112を分解除去し、冷却工程を経てSiO2膜111に塗布液54を塗布する。これにより、SiO2膜111と塗布液54の親和性が向上し、塗布液54の塗りむらや、その後の熱処理によるクラックの発生を防止できる。
Claim (excerpt)：
被処理体の表面を膜で被覆した後、被処理体がオゾン雰囲気に位置して上記膜の有機物を分解除去し、その後上記膜に塗布液を塗布することを特徴とする処理方法。
IPC (2)：
H01L 21/316
, H01L 21/768
Cited by examiner (8)
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