半導体集積回路装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大胡典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993250885
Publication number (International publication number)：1995106514
Application date： Oct. 07, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】良好な特性を有するインダクタが形成された半導体集積回路装置を提供する。【構成】インダクタ10を半導体基板11の上方に絶縁膜12及び第1、第2の層間絶縁膜14,17を介して複数層に成層した第1、第2の螺旋状金属配線層16,20によって構成されており、半導体基板11に対向する第1、第2の螺旋状金属配線層16,20を微細なものとして静電容量による損失を少なくしても、第1、第2の螺旋状金属配線層16,20が複数層であるため電気抵抗は大きくならない。このため静電容量による損失が減少でき、電気抵抗によるQファクタの低下等もなく、良好な特性を有するインダクタ10が形成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜を介して螺旋状金属配線層でなるインダクタを設けた半導体集積回路装置において、前記インダクタが前記螺旋状金属配線層を複数層に成層してなるものであることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-077360
モノリシック電源装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-217706 Applicant：富士電機株式会社
インダクタ、モノリシックマイクロ波集積回路及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-225113 Applicant：松下電器産業株式会社

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