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J-GLOBAL ID：200903062740226550

炭素系硬質膜の形成方法並びにその装置

Inventor： 山田 公 ,  松尾 二郎 ,  北川 晃幸 ,  アレン・カークパトリック
Applicant, Patent owner： 株式会社野村鍍金
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000334277
Publication number (International publication number)：2001192807
Application date： Nov. 01, 2000
Publication date： Jul. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来は困難であった高硬度、基材に対する強密着性、広い基材選択性、構造安定性、室温形成、大面積化の可能な炭素系硬質膜の形成を可能とする。【解決手段】 真空減圧下に基材上に炭素質の硬質膜を気相成膜する方法であって蒸発炭素質材料を、イオン化して、もしくはイオン化せずに基体表面に付着させる際に、常温・常圧下では気体状の物質の原子または分子の集合体としてのガスクラスターをイオン化して生成させたガスクラスターイオンを照射して成膜する。

Claim (excerpt)：

真空減圧下に基材上に炭素質の硬質膜を気相成膜する方法であって、蒸発炭素質材料を、イオン化して、もしくはイオン化せずに基材表面に付着させるとともに、常温・常圧下では気体状の物質の原子または分子の集合体としてのガスクラスターをイオン化して生成させたガスクラスターイオンを連続的または断続的に照射して成膜することを特徴とするガスクラスターイオンの援用照射による炭素系硬質膜の形成方法。

IPC (8)：

C23C 14/06 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 ,  C01B 31/02 ,  C01B 31/04 101 ,  C23C 14/32 ,  G02B 1/10

FI (8)：

C23C 14/06 F ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 Z ,  C01B 31/02 101 F ,  C01B 31/04 101 Z ,  C23C 14/32 G ,  G02B 1/10 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-096124   Applicant：日新電機株式会社
• 特開昭57-106513
  
• 特開昭58-153774
  
• 特開昭63-206387