電界効果型半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992023331
Publication number (International publication number)：1994045609
Application date： Jan. 14, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】短チャネル効果を緩和するために埋め込み絶縁膜を薄くする際、寄生容量と配線容量を減らして半導体装置の高速動作を実現できるようにする。【構成】半導体21上の第1の絶縁膜22の上に半導体能動層233 を挟んで両側に形成されたソース及びドレイン領域33,34を設ける。さらに、これら半導体能動層,ソース及びドレイン領域の上および側面を覆う第2の絶縁膜24,31と、ゲート電極321と、前記第2の絶縁膜上に配置された耐酸化性の第3の絶縁膜251と、この第3の絶縁膜上に配置された第4の絶縁膜30と、前記ソース及びドレイン領域の側面の上部にある第3絶縁膜の部分,第4の絶縁膜,第2の絶縁膜,ゲート電極を覆う第5の絶縁膜35を設ける。そして、この第5の絶縁膜上にそのコンタクト孔35A,35Bを介してソース及びドレイン領域にそれぞれ接続されたソース,ドレイン電極36,37を配置するように構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基体上に形成された第1の絶縁膜と、この絶縁膜上に配置されかつ第1の導電形の半導体能動層を挟んで両側に形成された第2導電形のソース領域およびドレイン領域と、これらの半導体能動層,ソース領域およびドレイン領域の上および側面を覆う第2の絶縁膜と、前記半導体能動層に対応する第2の絶縁膜上に配置されたゲート電極と、前記半導体能動層,ソースおよびドレイン領域の側面およびその他の領域を覆う第2の絶縁膜上に配置された耐酸化性の第3の絶縁膜と、この耐酸化性の第3の絶縁膜上に配置された第4の絶縁膜と、前記ソース領域およびドレイン領域の側面の上部にある第3絶縁膜の部分と,第4の絶縁膜と,前記半導体能動層,ソース領域およびドレイン領域の上面に配置された第2の絶縁膜と,この第2の絶縁膜上に配置されたゲート電極とを覆う第5の絶縁膜と、この第5の絶縁膜上に配置されかつこの第5の絶縁膜および前記第2の絶縁膜に開けられたコンタクト孔を介して前記ソース領域およびドレイン領域にそれぞれ接続されたソース電極およびドレイン電極とを備えたことを特徴とする電界効果形半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/784 , H01L 21/265 , H01L 21/76

FI (2)：

H01L 29/78 311 R , H01L 21/265 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭58-030123
特開昭64-027272
特開昭57-052167

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