エピタキシャル成長用基板およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000344808
Publication number (International publication number)：2001210598
Application date： Nov. 13, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】転位密度が低減されたAlxGayInzN(x+y+z=1,x>0,y,z≧0)膜を有するエピタキシャル成長用基板およびそのようなエピタキシャル成長用基板を提供する。【解決手段】基材としてのサファイア基板本体21の表面にストライプ状の溝24を形成した後、サファイア基板本体をCVD室25に導入し、AlxGayInzN(x+y+z=1,x>0,y,z≧0)膜26を溝24を埋めるようにして横方向成長によりエピタキシャル成長させる。その結果、AlxGayInzN膜26はストライプ状の溝24におけの凹部上及び凸部上の少なくとも一方上に低転位密度の領域を有するようになる。

Claim (excerpt)：

表面にストライプ状の凹凸構造を有するサファイア、SiC、GaNなどの基板本体と、この基板本体の前記ストライプ状の凹凸構造を埋めるように選択横方向成長によりエピタキシャル成長され、前記ストライプ状の凹凸構造の凸部及び凹部の上方の少なくとも一方に形成された転位密度の小さな領域を有するAlxGayInzN(x+y+z=1,x>0,y,z≧0)膜とを具えることを特徴とする、エピタキシャル成長用基板。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体装置、半導体基板とそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-133844 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体装置の組立方法およびIII-V族半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-193430 Applicant：アジレント・テクノロジーズ・インク
半導体の製造方法および該方法により製造した半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-231057 Applicant：学校法人名城大学, 日本学術振興会

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