磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗効果センサの製造方法、磁気抵抗検出システム、および磁気記憶システム

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：畑泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000142527
Publication number (International publication number)：2001325704
Application date： May. 15, 2000
Publication date： Nov. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】従来構造と比較して再生出力、S/N、及びビットエラーレートの値が良好な磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システムを得る。【解決手段】フリー層3とフリー層3上に形成されたバリア層4とバリア層4上に形成された固定層5の組合わせを基本構成とする磁気抵抗効果膜20を用いた、センス電流が当該磁気抵抗効果膜に対し略垂直に流れるタイプのシールド型磁気抵抗効果素子25が使用され、且つ下シールド1にアモルファス材料もしくは微結晶材料が使用されている磁気抵抗効果センサ30が示されている。

Claim (excerpt)：

フリー層とフリー層上に形成されたバリア層とバリア層上に形成された固定層の組合わせ、或いは、固定層と固定層上に形成されたバリア層とバリア層上に形成されたフリー層の組み合わせ、を基本構成とする磁気抵抗効果膜を用いた、センス電流が当該磁気抵抗効果膜に対し略垂直に流れるタイプのシールド型磁気抵抗効果素子が使用され、且つ下シールドにアモルファス材料もしくは微結晶材料が使用されていることを特徴とする磁気抵抗効果センサ。

IPC (7)：

G11B 5/39 , G01R 33/02 , G01R 33/09 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 43/08 , H01L 43/12

FI (7)：

G11B 5/39 , G01R 33/02 W , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 43/08 Z , H01L 43/12 , G01R 33/06 R

F-Term (21)：

2G017AA04 , 2G017AB07 , 2G017AC01 , 2G017AD55 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA08 , 5D034BA15 , 5D034BA16 , 5D034BB08 , 5D034BB12 , 5D034BB20 , 5D034CA08 , 5D034DA07 , 5E049AA04 , 5E049BA12 , 5E049CB01 , 5E049DB02 , 5E049GC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

トンネリング磁気抵抗効果素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-173695 Applicant：住友金属工業株式会社
磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用した装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-264464 Applicant：日本電気株式会社
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-319255 Applicant：三洋電機株式会社

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