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J-GLOBAL ID:200903062807776356

複数の半導体チップの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998266819
Publication number (International publication number):1999154648
Application date: Sep. 21, 1998
Publication date: Jun. 08, 1999
Summary:
【要約】【課題】 複数の半導体を正確に定義した側面積をもって、および/または結晶損傷を低減して製造することのできるようにする。【解決手段】 基板ウェハ(19)にマスク層(4)を設け、マスク層(4)に複数の窓(10)を設け、該窓では基板ウェハ(19)の主面(9)が露出しており、半導体層列(18)を、窓(10)に露出した基板ウェハ(19)の主面(9)に析出し、これにより窓(10)に同種の機能的半導体構造体(2)を形成し、このようにして作製したウェハ(24)を、半導体構造体(2)の間で分離することにより半導体チップ(1)に個別化する。
Claim (excerpt):
複数の半導体チップ(1)の製造方法であって、基板ウェハ(19)の主面(9)に半導体層列(18)を析出する製造方法において、基板ウェハ(19)にマスク層(4)を設け、マスク層(4)に複数の窓(10)を設け、該窓では基板ウェハ(19)の主面(9)が露出しており、半導体層列(18)を、窓(10)に露出した基板ウェハ(19)の主面(9)に析出し、これにより窓(10)に同種の機能的半導体構造体(2)を形成し、このようにして作製したウェハ(24)を、半導体構造体(2)の間で分離することにより半導体チップ(1)に個別化する、ことを特徴とする、複数の半導体チップの製造方法。
IPC (2):
H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (2):
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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