III族窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995206360
Publication number (International publication number)：1997055536
Application date： Aug. 11, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】エッチングが困難なIII族窒化物系化合物半導体に対してエッチング技術を用いずにIII族窒化物系化合物半導体発光素子の素子分離、電極形成、端面反射鏡作製をする。【解決手段】基板1上に予め形成され、格子状にパターン化された誘電体膜としてのSiO2膜2により、III族窒化物系化合物半導体層の選択成長を行うことで、III族窒化物系化合物半導体層に対してエッチング技術を用いずに素子分離、電極形成、端面反射鏡が形成可能となる。

Claim (excerpt)：

III族窒化物系化合物半導体を含む薄膜積層構造を用いた半導体発光素子において、誘電体薄膜をパターン状に形成した基板上、または、該III族窒化物系化合物が予め設けられ、その上に該誘電体薄膜をパターン状に形成した基板上の、該誘電体薄膜以外の領域に選択的に、該III族窒化物系化合物半導体層を設けたIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/20 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/20 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-263782 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体レ-ザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-194456 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-178402 Applicant：株式会社日立製作所

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