プラズマ処理装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994167631
Publication number (International publication number)：1996031806
Application date： Jul. 20, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】真空容器内に対向して配置された第1電極と第2電極の電極電圧比率を一定に保持し得る技術を提供する。【構成】半導体ウエハWをプラズマ処理する真空容器2内には相互に対向して上部電極3と下部電極4とが設けられている。下部電極4にはワークWを静電吸着するための直流電源が印加されるようになっている。スプリッタトランス6はRF電源5に接続される一次側コイル6aと上下両電極3,4に接続される二次側コイル6bとを有し、二次側コイル6bには接地位置を変化させてRF電源5の電極3,4に対する分配比率を変化させる接地タップ10が設けられている。制御部13はセンサ11,12からの信号に基づいて接地タップ10を制御して両方の電極3,4の電極電圧の比を一定に制御する。

Claim (excerpt)：

相互に対向して配置された第1電極と第2電極とを有し、ワークをプラズマ処理する真空容器と、RF電源に接続される一次側コイルと両端がそれぞれ前記第1および第2電極に接続される二次側コイルとを有し、相互に180°位相をずらして前記RF電源を前記第1および第2電極に給電するトランスと、前記二次側コイルの接地位置を変化させて前記RF電源の前記それぞれの電極に対する分配比率を変化させる接地タップと、前記第1および第2電極のそれぞれの電圧値を検出するセンサからの信号に基づいて前記接地タップを制御して前記第1電極と前記第2電極の電極電圧の比を一定に制御する制御手段とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (2)：

H01L 21/302 C , H01L 21/302 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平1-170025
特開平4-029315
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-317682 Applicant：住友金属工業株式会社

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