プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996317682
Publication number (International publication number)：1997306896
Application date： Nov. 28, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】ウエハ周縁部19bでの電界補正を向上させ、ウエハ中央部19aとウエハ周縁部19bとでエッチング形状差を生じさせないようにエッチングすることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】第1電極11と、これに対向するウエハ19を載置する第2電極12とを備えたプラズマ処理装置10であって、第1電極11の第2電極12と対向する面の外周部に第2電極12側へ突出した導電性の第1環状部13が設けられ、第2電極12の外周部に導電性の第2環状部14が設けられているプラズマ処理装置。このプラズマ処理装置を用いて、第1環状部13の内径Din、外径Dout、電極面からの突出量Hout、ウエハ19のサイズDSiおよび電極間距離Lが所定の条件を満たすようにして、ウエハにプラズマ処理を施すプラズマ処理方法。

Claim (excerpt)：

第1電極と、これに対向するウエハを載置する第2電極とを備えたプラズマ処理装置であって、前記第1電極の前記第2電極と対向する面の外周部に前記第2電極側へ突出した導電性の第1環状部が設けられ、前記第2電極の外周部に導電性の第2環状部が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/68 , H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 C , C23F 4/00 A , H01L 21/68 R , H05H 1/46 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

プラズマエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-033645 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
エッチング処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-146388 Applicant：東京エレクトロン株式会社
プラズマエツチング方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-207432 Applicant：国際電気株式会社

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