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J-GLOBAL ID：200903062897073057

ガスセンサーおよびその製造方法

Inventor： 劉 志甫 ,  山崎 登志成
Applicant, Patent owner： 国立大学法人富山大学
Agent (1)： 宮田 信道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007133252
Publication number (International publication number)：2008286704
Application date： May. 18, 2007
Publication date： Nov. 27, 2008
Summary：

【課題】 常温で動作する金属酸化物半導体ガスセンサーを提供する。【解決手段】 平板状のセンサー基板1と、該センサー基板1上に形成される電極2,2と、該電極2,2上に形成される、酸化テルルナノワイヤーからなる薄膜層3と、を備えるガスセンサーである。酸化テルルナノワイヤーは、金属テルルおよび生成基板を同時に加熱し、生成基板上に成長させる。ナノワイヤーを水またはアルコールに投入して懸濁液を生成し、この懸濁液を、電極を形成したセンサー基板上に滴下して乾燥させることで、酸化テルルナノワイヤーからなる薄膜層を備えるガスセンサーが得られる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

平板状のセンサー基板(1)と、該センサー基板(1)上に形成される電極(2,2)と、該電極(2,2)上に形成される、酸化テルルナノワイヤーからなる薄膜層(3)と、を備えることを特徴とするガスセンサー。

IPC (1)：

G01N 27/12

FI (3)：

G01N27/12 B ,  G01N27/12 M ,  G01N27/12 C

F-Term (21)：

2G046AA05 ,  2G046AA13 ,  2G046AA19 ,  2G046AA21 ,  2G046BA01 ,  2G046BA08 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC03 ,  2G046BC05 ,  2G046BC09 ,  2G046DC13 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EB01 ,  2G046FB02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE31 ,  2G046FE38 ,  2G046FE43

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• ガスセンサおよびこれに用いるガス検出用感応材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-319263   Applicant：株式会社石原産業, 白井汪芳
• ガスセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-099290   Applicant：日本特殊陶業株式会社, 東亞合成株式会社