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J-GLOBAL ID:200903062897430879

表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998028706
Publication number (International publication number):1999231805
Application date: Feb. 10, 1998
Publication date: Aug. 27, 1999
Summary:
【要約】【課題】 発光する表示画素が発光すべき輝度で発光する表示装置を提供する。【解決手段】 基板上に、陽極、陰極及び該両電極の間に挟まれた発光素子層から成るEL素子と、ドレイン電極がドレイン信号線に、ゲート電極がゲート信号線にそれぞれ接続された第1の薄膜トランジスタと、ソース電極が前記陽極に、ドレイン電極が電源に、ゲート電極が前記第1の薄膜トランジスタのソース電極に接続された第2の薄膜トランジスタと、を備えて成る表示装置において、前記第1の薄膜トランジスタをダブルゲート構造とする。これにより、第1のTFTのリーク電流を抑制して第2のTFTのゲート電極の電位を一定に保つことができる。
Claim (excerpt):
基板上に、陽極、陰極及び該両電極の間に挟まれた発光素子層から成るエレクトロルミネッセンス素子と、ドレイン電極がドレイン信号線に、ゲート電極がゲート信号線にそれぞれ接続された第1の薄膜トランジスタと、ソース電極が前記陽極に、ドレイン電極が電源に、ゲート電極が前記第1の薄膜トランジスタのソース電極に接続された第2の薄膜トランジスタと、を備えて成る表示装置において、前記第1の薄膜トランジスタはダブルゲート構造を有することを特徴とする表示装置。
IPC (2):
G09F 9/30 365 ,  H05B 33/26
FI (2):
G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/26 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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