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J-GLOBAL ID：200903062943317837

樹脂基材への高密着性めっき方法およびこれに用いる銅めっき液

Inventor： 本間 英夫 ,  石橋 純一 ,  鈴木 雅子 ,  丸山 恵美 ,  藤波 知之
Applicant, Patent owner： 本間 英夫 ,  株式会社マルチ ,  ジェイエスアール株式会社 ,  荏原ユージライト株式会社
Agent (1)： 小野 信夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998071266
Publication number (International publication number)：1999256349
Application date： Mar. 06, 1998
Publication date： Sep. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 簡便に、安定して樹脂基材と導体層間の高い密着強度を得ることのできる手段を開発すること。【解決手段】 触媒化処理をした樹脂基材上に、銅上におけるめっき析出速度を0.5μm/30分以下に制御した無電解銅めっきを施し、次いで電気めっきを施すことを特徴とするに樹脂基材への高密着性めっき方法。この方法に利用できる無電解銅めっき浴の例としては、銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤としてホルムアルデヒドまたはグリオキシル酸および析出制御剤を含み、pHが12〜13の範囲である無電解銅めっき液並びに銅イオン、銅イオンの錯化剤としてのクエン酸またはその塩および還元剤として次亜リン酸またはその塩を含み、pH8.0〜11.0の範囲である無電解銅めっき液が挙げられる。

Claim (excerpt)：

触媒化処理をした樹脂基材上に、銅上におけるめっき析出速度を0.5μm/30分以下に制御した無電解銅めっきを施し、次いで電気めっきを施すことを特徴とするに樹脂基材への高密着性めっき方法。

IPC (4)：

C23C 18/40 ,  C23C 18/18 ,  C23C 28/02 ,  C25D 5/00

FI (4)：

C23C 18/40 ,  C23C 18/18 ,  C23C 28/02 ,  C25D 5/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 転写銅箔用銅被覆ポリイミド基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-331415   Applicant：住友金属鉱山株式会社
• 無電解銅めっき皮膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-308650   Applicant：日本電装株式会社
• 特開昭55-117299