半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000389753
Publication number (International publication number)：2002190516
Application date： Dec. 22, 2000
Publication date： Jul. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】基板にダミー拡散層が形成された半導体装置について、そのノイズ耐性を向上させる。【解決手段】アナログブロック50とデジタルブロック51との間に、STI工程のCMPにおけるディッシング対策のために、ダミー拡散層11を形成する。ダミー拡散層11の表面はダミーゲート電極13によって覆われており、シリサイド化が防止されている。また、ダミーゲート電極13の形成は、通常のトランジスタのゲート電極の形成と併せて実行可能なので、新規の製造工程を追加する必要はない。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成された,トランジスタのソース・ドレイン電極用拡散層と、前記基板上に形成されたダミー拡散層とを備え、前記ソース・ドレイン電極用拡散層は、その表面がシリサイド化されており、前記ダミー拡散層は、その表面の少なくとも一部が、前記トランジスタのゲート電極と同一構造からなるダミーゲート電極によって覆われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/76 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331

FI (4)：

H01L 27/08 331 A , H01L 21/76 S , H01L 21/76 L , H01L 27/08 321 A

F-Term (19)：

5F032AA34 , 5F032AC04 , 5F032BA01 , 5F032BA08 , 5F032BB01 , 5F032CA03 , 5F032CA07 , 5F032CA17 , 5F032DA33 , 5F032DA43 , 5F032DA74 , 5F032DA78 , 5F048AA04 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BG13 , 5F048BH03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-314762 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置及びその製造方法並びに抵抗器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-322634 Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (2)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-314762 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置及びその製造方法並びに抵抗器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-322634 Applicant：三菱電機株式会社

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