半導体装置及びその製造方法並びに抵抗器

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000322634
Publication number (International publication number)：2002076111
Application date： Oct. 23, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 pn接合におけるリーク電流を抑制する。【解決手段】部分分離体41がその表面に形成されたN-型半導体層10と、部分分離体42がその表面に形成されたP-型半導体層20とが、絶縁体9上に形成される。半導体層10にはP+型半導体層であるソース/ドレイン11,12が設けられ、PMOSトランジスタ1を形成する。半導体層20にはN+型半導体層であるソース/ドレイン21,22が設けられ、NMOSトランジスタ2を形成する。トランジスタ1,2から構成されるCMOSトランジスタ100において半導体層10,20が形成するpn接合J5が存在する。pn接合J5は分離体41,42と離れ、従って結晶欠陥が非常に小さい位置に存在するので、ここにおけるリーク電流は非常に小さい。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面が絶縁性の基板と、前記基板の前記表面上に設けられ、第1導電型の第1半導体層、前記第1導電型で前記第1半導体層よりも不純物濃度が低い第2半導体層、前記第1導電型とは反対の第2導電型の第3半導体層、前記第2導電型で前記第3半導体層よりも不純物濃度が低い第4半導体層とを有する半導体膜と、前記基板から遠い側の前記半導体膜の表面において前記基板の前記表面から離隔して形成される絶縁性の分離体とを備え、前記第2半導体層と前記第4半導体層とは前記半導体膜の厚み方向に亘ってpn接合を形成し、前記基板の前記表面に沿って、前記分離体と前記半導体膜との境界から前記分離体へと向かう方向を正とし、前記境界を基準とした前記pn接合の位置の最大値が2μm以下である半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/76 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786 , H01L 29/861

FI (6)：

H01L 27/08 331 E , H01L 21/76 M , H01L 27/04 R , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 621 , H01L 29/91 D

F-Term (50)：

5F032AA11 , 5F032AA91 , 5F032AB02 , 5F032BA01 , 5F032BB01 , 5F032CA14 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA20 , 5F038AR01 , 5F038AR03 , 5F038AR26 , 5F038AV06 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F048AA04 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG07 , 5F048DA23 , 5F110AA06 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE31 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG52 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN71 , 5F110QQ17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-029494 Applicant：セイコー電子工業株式会社
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-237212 Applicant：キヤノン株式会社

Cited by examiner (2)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-029494 Applicant：セイコー電子工業株式会社
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-237212 Applicant：キヤノン株式会社

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