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J-GLOBAL ID：200903063059964965

半導体発光素子

Inventor： 筒井 毅 ,  園部 雅之 ,  中田 俊次 ,  伊藤 範和 ,  磯川 慎二 ,  戸田 秀和
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997271040
Publication number (International publication number)：1998256610
Application date： Oct. 03, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体発光素子のp側電極とn側電極に対する逆電圧の印加や順方向でも外部からのサージなどの大きな入力に対して、破壊し難い半導体発光素子を提供する。【解決手段】 (a)発光層を形成すべく積層される半導体層、および該半導体層のn形層とp形層にそれぞれ接続されるn側電極39とp側電極38を有する発光部(LEDチップ3)と、(b)前記第1導電形層および第2導電形層の間に電気的に接続されて前記発光部に印加され得る少なくとも逆方向電圧に対して前記発光部を保護する保護素子部(保護ダイオードチップ5)、とを内蔵している。

Claim (excerpt)：

(a)発光層を形成すべく第1導電形層および第2導電形層を含む半導体層が積層される発光部と、(b)前記第1導電形層および第2導電形層の間に電気的に接続されて前記発光部に印加され得る少なくとも逆方向電圧に対して前記発光部を保護する保護素子部、とを内蔵する半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-222627   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開昭52-061982
  
• 特開昭59-159577
  
• 特開昭60-262476