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J-GLOBAL ID：200903063097262141

薄膜トランジスタおよびその製造方法並びに液晶表示装置

Inventor：
芳之内 淳

About 芳之内 淳


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994203588
Publication number (International publication number)：1996070127
Application date： Aug. 29, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 TFTのオフ電流を低くし信頼性を高くする。また、TFTを製造工程を複雑にすることなく作製できるようにする。【構成】 半導体層とゲート電極8との間に形成されるゲート絶縁膜が、ソース領域5aとドレイン領域5bとの間の半導体層部分の上で、膜厚の異なる第1部分6aと第2部分6bとを有している。よって、ソース領域5aとドレイン領域5bとで挟まれているチャネル領域に部分的にゲート電圧印加による影響を受けにくい領域が形成され、ソース/ドレイン間に印加された電圧がドレイン端に集中せずに分割される。また、この領域で電界が緩和され、ソース/ドレイン間にかかる電界の急峻的に高くなる部分の発生が緩和される。
Claim (excerpt)：
ソース領域とドレイン領域とを有する半導体層上に形成されたゲート絶縁膜の上にゲート電極が形成され、該ソース領域とドレイン領域との間の半導体層部分の上のゲート絶縁膜が、第1の膜厚の第1部分と、該第1の膜厚とは異なる第2の膜厚の第2部分とを有する薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500
FI (2)：
H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 616 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 薄膜トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-317997   Applicant：カシオ計算機株式会社
  • 特開平3-108374
  • 特開平2-109370

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