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J-GLOBAL ID:200903063097786396
磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法及びプラズマCVD成膜方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993262177
Publication number (International publication number):1995121855
Application date: Oct. 20, 1993
Publication date: May. 12, 1995
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、電磁変換特性と実用信頼性(走行安定性、耐久性、耐候性)とを高次元で両立することのできる磁気記録媒体を提供することを目的とする。【構成】 非磁性基板1の一方の面に強磁性金属薄膜3を、他方の面にバックコート層5を形成した後、このバックコート層5上にフッ素、ケイ素もしくは窒素を含み、且つフッ素濃度が最表面から深さ方向に向かって減少するとともに、ケイ素もしくは窒素濃度が最表面から深さ方向に向かって増加する炭素膜6を形成する。
Claim (excerpt):
非磁性基板の一方の面に磁性層を、他方の面にカーボンブラックを主成分とする充填剤と結合剤とからなるバックコート層をそれぞれ有する磁気記録媒体であって、上記バックコート層上にフッ素、ケイ素を含み、且つフッ素濃度が最表面から深さ方向に向かって減少する炭素膜を有することを特徴とする磁気記録媒体。
IPC (5):
G11B 5/66
, C23C 16/50
, G11B 5/72
, G11B 5/84
, H01L 21/205
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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特開平3-019120
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特開平1-245428
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特開平4-198480
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特開平1-245425
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集積回路、その製造方法およびその薄膜形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-001498
Applicant:三菱電機株式会社
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特開平3-008117
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特開平4-049520
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