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J-GLOBAL ID：200903063103077653

無電解めっき方法

Inventor：
小林 秀行

About 小林 秀行


Applicant, Patent owner：
新光電気工業株式会社

About 新光電気工業株式会社


Agent (2)： 綿貫 隆夫 ,  堀米 和春
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004175285
Publication number (International publication number)：2005353960
Application date： Jun. 14, 2004
Publication date： Dec. 22, 2005
Summary：
【課題】シリコンから成るウェーハの一面側に形成された電極端子の端子面に施す無電解めっきを照明下で施しても、各電極端子の端子面の全面を覆う無電解めっき層を安定して形成し得る無電解めっき方法を提供する。【解決手段】シリコンから成るウェーハ10の一面側に形成された電極端子12の端子面に無電解めっきを施す際に、該ウェーハ10の他面側の全面に電気絶縁材料としてのダイシングテープ16を貼着して絶縁した後、前記端子面に無電解めっきを施すことを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
シリコンから成るウェーハ又は基板の一面側に形成された電極端子の端子面又は前記電極端子に一端が接続された再配線の他端に形成されたパッド部のパッド面に無電解めっきを施す際に、 該ウェーハ又は基板の他面側の全面を電気絶縁材料によって絶縁した後、前記端子面又はパッド面に無電解めっきを施すことを特徴とする無電解めっき方法。
IPC (3)：
H01L21/60 ,  C23C18/16 ,  H01L21/3205
FI (3)：
H01L21/92 604M ,  C23C18/16 B ,  H01L21/88 T
F-Term (15)：
4K022AA05 ,  4K022AA41 ,  4K022BA14 ,  4K022CA08 ,  4K022CA27 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP28 ,  5F033VV07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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