デンドリック高分子及びこれを用いた電子デバイス素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：栗原浩之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003189100
Publication number (International publication number)：2004107625
Application date： Jun. 30, 2003
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：

【課題】等方性で極めて高いキャリア伝導性を有する有機半導体材料となる新規デンドリック高分子及びそれを用いた電子デバイスを提供する。【解決手段】分岐部を有する繰り返し単位を含んだ分岐構造を有するデンドリック高分子において、前記繰り返し単位が置換基を有してもよい2価の有機基である線状部Xと、置換基を有してもよい3価の有機基である分岐部Yとからなる下記一般式(1)で表される構造であって、前記線状部Xは少なくとも1つのチエニレン構造を含み且つ前記分岐部と少なくとも部分的に共役しており、外的要因の有無により絶縁状態と金属状態とを可逆的に有することを特徴とするデンドリック高分子とする。【化1】【選択図】なし

Claim (excerpt)：

分岐部を有する繰り返し単位を含んだ分岐構造を有するデンドリック高分子において、前記繰り返し単位が置換基を有してもよい2価の有機基である線状部Xと、置換基を有してもよい3価の有機基である分岐部Yとからなる下記一般式(1)で表される構造であって、前記線状部Xは少なくとも1つのチエニレン構造を含み且つ前記分岐部と少なくとも部分的に共役しており、外的要因の有無により絶縁状態と金属状態とを可逆的に有することを特徴とするデンドリック高分子。

IPC (4)：

C08G61/12 , H01L29/786 , H01L31/04 , H01L51/00

FI (4)：

C08G61/12 , H01L31/04 D , H01L29/28 , H01L29/78 618B

F-Term (20)：

4J032BA03 , 4J032BA12 , 4J032CA03 , 4J032CG01 , 5F051AA11 , 5F051CB30 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051GA03 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110CC03 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE43 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-099004 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
アリール-アリールデンドリマー
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-566566 Applicant：アイシスイノベイシヨンリミテツド
デンドリマーの製造方法及びビルディングブロック化合物並びにチオフェン系化合物の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-189099 Applicant：東洋合成工業株式会社