ウエハレベル半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：横山淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000201416
Publication number (International publication number)：2002026045
Application date： Jul. 03, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明は、ウエハレベル半導体装置の製造方法において、ウエハ上に封止樹脂を形成しても、捺印情報から不良調査のできる半導体装置の製造方法及びその手法を用いて製造された半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】表面と裏面とを有し表面に複数の半導体チップの形成されたウエハの該表面を樹脂で封止する工程と、各チップに対応した位置情報を該ウエハの裏面の各チップの領域に捺印する第1の捺印工程と、各チップに電気的試験を行う工程と、各チップに対応した該電気的試験の結果を該ウエハの裏面の各チップの領域に捺印する第2の捺印工程と、各チップに切りわけるダイシング工程とを有することを特徴とするウエハレベル半導体装置の製造方法である。

Claim (excerpt)：

表面と裏面とを有し表面に複数の半導体チップの形成されたウエハの該表面を樹脂で封止する工程と、各チップに対応した位置情報を該ウエハの裏面の各チップの領域に捺印する第1の捺印工程と、各チップに電気的試験を行う工程と、各チップに対応した該電気的試験の結果を該ウエハの裏面の各チップの領域に捺印する第2の捺印工程と、各チップに切りわけるダイシング工程とを有することを特徴とするウエハレベル半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/56 , H01L 21/66 , H01L 21/301 , H01L 23/28

FI (4)：

H01L 21/56 R , H01L 21/66 A , H01L 23/28 H , H01L 21/78 Q

F-Term (13)：

4M106AA01 , 4M106DA05 , 4M109AA01 , 4M109BA07 , 4M109CA21 , 4M109CA22 , 4M109GA07 , 5F061AA01 , 5F061BA07 , 5F061CA21 , 5F061CA22 , 5F061CB13 , 5F061GA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-246312
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-038692 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭60-010641

Show all

Return to Previous Page