トレンチゲート型半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊丹勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002257006
Publication number (International publication number)：2004095962
Application date： Sep. 02, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

【課題】トレンチゲートの微細化による高性能化を図ったトレンチゲート型半導体装置を提供する。【解決手段】トレンチゲート型半導体装置は、第1及び第2の主面を有する第1半導体層と、第1半導体層の第1の主面上に形成された第1導電型の第2半導体層と、第2半導体層上に形成された第2導電型の第3半導体層と、第3半導体層の表面に形成された第1導電型の第4半導体層と、第4半導体層の表面から第2半導体層に達する深さに形成されたトレンチにゲート絶縁膜を介して埋め込まれて上端部がトレンチ幅より広い幅をもってトレンチ上端開口より上方に突出する多結晶シリコン層及び、この多結晶シリコン層の上端部の上面及び側面に形成された金属シリサイド膜を有するゲート電極と、第4半導体層及び第3半導体層にコンタクトする第1の主電極と、第1半導体層の第2の主面に形成された第2の主電極とを有する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1及び第2の主面を有する第1半導体層と、前記第1半導体層の第1の主面上に形成された第1導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層上に形成された第2導電型の第3半導体層と、前記第3半導体層の表面に形成された第1導電型の第4半導体層と、前記第4半導体層の表面から前記第2半導体層に達する深さに形成されたトレンチにゲート絶縁膜を介して埋め込まれて上端部が前記トレンチ幅より広い幅をもってトレンチ上端開口より上方に突出する多結晶シリコン層及び、この多結晶シリコン層の前記上端部の上面及び側面に形成された金属シリサイド膜を有するゲート電極と、前記第4半導体層及び第3半導体層にコンタクトする第1の主電極と、前記第1半導体層の第2の主面に形成された第2の主電極と、を有することを特徴とするトレンチゲート型半導体装置。

IPC (2)：

H01L29/78 , H01L21/336

FI (4)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 653A , H01L29/78 655A , H01L29/78 658F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-224550 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-343683 Applicant：シャープ株式会社

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