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J-GLOBAL ID：200903063326407361

非水電池

Inventor：
田中 光利

About 田中 光利


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993209669
Publication number (International publication number)：1995065863
Application date： Aug. 24, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】非水二次電池における充放電サイクルによる著しい容量低下を軽減させる。【構成】正極と負極と非水電解質からなる非水二次電池に於いて、フェナントロリン誘導体、ピリジルトリアジン誘導体、ビピリジン誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ピリジルアゾベンゼン誘導体、チアゾリルアゾベンゼン誘導体、フェニルアゾフタレイン誘導体、ヒドロキシフェニルアゾベンゼン誘導体、クレゾールスルホフタレイン誘導体、チモールスルホフタレイン誘導体、アミノポリホスホン酸類、キノリン誘導体等を存在させたことを特徴とする非水二次電池。
Claim (excerpt)：
正極、負極、非水電解質からなる非水二次電池において、下記一般式(1)で表される化合物を含有したことを特徴とする非水二次電池。一般式(1)【化1】Z1 、Z2 はそれぞれ含窒素複素環を表すが、Z1 はZ2 とともに複素環を構成しても良い。該含窒素複素環は置換基を有しても良い。
IPC (2)：
H01M 10/40 ,  H01M 4/02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
  • 特開平2-177272
  • 特開平4-087155
  • 特開昭58-087777
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