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J-GLOBAL ID：200903063350912972

欠陥性表面応力の緩和方法

Inventor： 中村 明子 ,  北島 正弘 ,  成島 哲也
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000361747
Publication number (International publication number)：2002164301
Application date： Nov. 28, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板上に新たな熱歪みや欠陥を発生させることなく半導体基板中の欠陥性表面応力を緩和し、結晶欠陥の低減を実現する欠陥性表面応力の緩和方法を提供する。【解決手段】 半導体デバイス製造工程において半導体デバイスに発生した欠陥性表面応力の緩和方法であって、プラズマを発生させ、半導体基板(2)に対して正の電圧を印加し、プラズマから電子(5)を選択的に照射する。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスに発生した欠陥性表面応力の緩和方法であって、プラズマを発生させ、半導体基板に対して正の電圧を印加し、プラズマから電子を選択的に照射することを特徴とする欠陥性表面応力の緩和方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 電子ビームアニール装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-310209   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭56-024954
  
• 特開昭56-153655
  
• 表面欠陥検出方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-385305   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構