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J-GLOBAL ID：200903063386189703

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 大場 康夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217875
Publication number (International publication number)：1997064477
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 格子整合しない基板上にも高品質なAlGaInN系半導体層を再現性良く任意の厚さで成長することができ、高輝度短波長発光素子を高歩留まりで生産する。【解決手段】 AlGaInN系材料を用いた半導体発光素子において、サファイア基板10上に成長された単結晶のAlNバッファ層11と、バッファ層11上に成長されたn型GaNコンタクト層12と、コンタクト層12上に成長されたn型Al0.25Ga0.75N閉じ込め層13,GaN活性層14,p型Al0.2 Ga0.8 N閉じ込め層15からなるダブルヘテロ構造部と、ダブルヘテロ構造部上に成長されたp型GaNコンタクト層16とからなり、GaInAlN層を単結晶AlNバッファの上に成長することにより、低欠陥のGaInAlN層の厚膜成長を可能としている。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上に該基板に直接接して形成された単結晶Al<SB>x</SB> Ga<SB>1-x</SB> N(0<x≦1 )バッファ層と、このバッファ層上に形成されたAl<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> In<SB>1-x-y</SB>N(0≦x+y≦1、0≦x,y≦1)素子形成層とを具備してなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体発光素子及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-219179   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開平4-297023
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-157219   Applicant：日亜化学工業株式会社