Pat

J-GLOBAL ID：200903063405781058

半導体装置

Inventor： 遠藤 和彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994217470
Publication number (International publication number)：1996083842
Application date： Sep. 12, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の多層配線用層間絶縁膜に非晶質炭素膜を使用し、信号遅延を低減させる。【構成】 真空装置内にあらかじめアルミニウム等で配線を形成したシリコン基板を設置し、続いて真空装置中で炭素水素ガス系によってプラズマを発生させる。生成された炭化水素ラジカル、イオンによって、SiO2 よりも誘電率の低い非晶質炭素膜を堆積させ、半導体装置用層間絶縁膜とする。また同時にフッ素ガスを流入し、同様プラズマによってフッ素のラジカル、イオンを生成し、非晶質炭素膜中にフッ素を含有させて低誘電率させる。この低誘電率の非晶質炭素膜、及び含フッ素非晶質炭素膜を半導体装置の多層配線用層間絶縁膜に用いることにより、信号遅延を低減させる。また非晶質炭素膜中にフッ素を含有させる場合は、フッ素含有量に深さ方向の分布を持たせることにより、非晶質炭素膜のはがれを防止する。

Claim (excerpt)：

非晶質炭素膜を層間絶縁材料に用いることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/314

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-234128
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-028000   Applicant：富士通株式会社
• 特開平3-087047