基体の処理方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996101978
Publication number (International publication number)：1997270404
Application date： Mar. 31, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、減圧下においてもオゾンの発生効率が高く、かつ、基体をオゾンに曝すことで基体上に残存する有機系不純物の量を低減できる基体の処理方法を提供する。【解決手段】本発明の基体の処理方法は、少なくとも排気手段を備えた気密室を有する、基体処理装置を用い、減圧下にある前記気密室内に置いた基体を、波長222nm以下の紫外線が照射された酸素ガスに曝すことを特徴とする。好ましくは、前記紫外線の波長が184nm以下であることを特徴とする。さらに、前記基体が、80°C以上250°C以下に予備加熱されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも排気手段を備えた気密室を有する、基体処理装置を用い、減圧下にある前記気密室内に置いた基体を、波長222nm以下の紫外線が照射された酸素ガスに曝すことを特徴とする基体の処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/31

FI (4)：

H01L 21/304 341 D , H01L 21/205 , H01L 21/285 C , H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-087026
特開平4-079324
特開平2-049428

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