半導体の処理方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：大井正彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994273122
Publication number (International publication number)：1996115891
Application date： Oct. 13, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】イオンダメージのない、光による半導体の新しい処理方法を提供することにある。【構成】臭素および臭素化合物の中から選ばれた少なくとも一種のガスを含む雰囲気の中に半導体を配置し、波長172nmとその近傍の波長を有する紫外線を放射する光源によって前記半導体を照射し、この半導体の表面をエッチング又はクリーニングする処理方法。ここで、前記光源は、キセノンガスを発光成分とする誘電体バリア放電ランプであることが好ましい。また、前記雰囲気に、塩素、塩素化合物、フッ素、フッ素化合物、酸素および酸素化合物の中から選ばれた少なくとも一種のガスが添加されていると更に良い。

Claim (excerpt)：

臭素および臭素化合物の中から選ばれた少なくとも一種のガスを含む雰囲気の中に半導体を配置し、波長172nmとその近傍の波長を有する紫外線を放射する光源によって前記半導体を照射し、この半導体の表面をエッチング又はクリーニングすることを特徴とする半導体の処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/302 , H01L 21/26 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 341

FI (5)：

H01L 21/302 Z , H01L 21/26 L , H01L 21/30 570 , H01L 21/302 N , H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

化合物半導体の加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-186566 Applicant：日本電気株式会社
特開平3-087026
誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-032529 Applicant：ウシオ電機株式会社

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