半導体製造装置の縦型炉

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993197989
Publication number (International publication number)：1995029838
Application date： Jul. 15, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体製造装置の縦型炉に於いて、ボート装入時の反応室の温度の回復安定を短時間で達成し、ウェーハの処理時間の短縮を図る。【構成】ウェーハ加熱用のヒータ1内部に反応管2が設置され、ボート7に装填されたウェーハ8が前記反応管内反応室に装入、引出しされる半導体製造装置の縦型炉に於いて、前記反応室下部領域に温度センサ12を設け、該温度センサが反応室下部の温度を検出し、従って該温度センサの温度検出結果を基に迅速な温度回復、温度の安定を行える。

Claim (excerpt)：

ウェーハ加熱用のヒータ内部に反応管が設置され、ボートに装填されたウェーハが前記反応管内反応室に装入、引出しされる半導体製造装置の縦型炉に於いて、前記反応室下部領域に温度センサを設けたことを特徴とする半導体製造装置の縦型炉。

IPC (4)：

H01L 21/22 511 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭63-278227
特開平3-227018
特開平2-218117

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